Laser de-bond cleaner

晶圆接合(Wafer Bonding)为3D IC整合的关键步骤之一，此制程是将晶圆进行对准(Alignment)及接合(Bonding)，以实现层对层之导线连接(Layer to Layer Interconnections)。许多晶圆接合方法，都是从MEMS技术所演化而来，然而3D IC晶圆接合平台的精密度比MEMS技术高出5~10倍，3D IC最终产品的对位精密度可达到微米(Micron)，甚至次微米(Sub-Micron)等级。晶圆接合操作步骤，包括：晶圆表面准备及清洗、晶圆对位、晶圆接合和接合后量测(Post Bond Metrology)等。

晶圆接合方法，包括：

硅的直接或熔融接合(Silicon Direct or Fusion Bonding)
金属-金属接合(Metal-Metal Bonding)
聚合物黏着接合(Polymer Adhesive Bonding)等

为了3D IC制程设备又延伸开发Single wafer processor在后段封装技术之应用，弘塑科技在2011年进行开发Laser de-bond cleaner，主要应用在3D IC制程技术中wafer debond后的残胶去除。

图1、Wafer bond/de-bond process flow

弘塑科技又整合Brush、二流体等应用，搭配Solvent chemical及IPA进行wafer de-bonding后的残胶去除。在晶圆的传送及夹持上，为了克服high warpage及正、反两面的清洗，开发了晶圆翻转模组与晶圆压合模组，以达到晶圆洗净的目的；另外，针对晶圆正反两面凹凸不平的结构，也开发了全新的晶圆夹持机构(Chuck)。

图2、弘塑科技提供之Laser de-bond cleaner设备示意图

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