Under Bump Metallization (UBM) etching，UBM蚀刻是以凸块或光阻当作蚀刻遮罩层(Etching mask)，然后将未被覆盖之UBM金属层作蚀刻去除，以隔离个别凸块，它是覆晶技术中的一个关键制程

钛(Ti)、钛钨(TiW)和钛钨氮(TiW(N）)等UBM金属，具有双重特性：可作为UBM之附着层(Adhesion Layer)及阻障层(Barrier Layer)。因这些UBM金属直接接触到晶片最终金属层(Final metallization layer）和钝化层（Passivation Layer），所以蚀刻液需有足够的蚀刻速率，并且能避免攻击到最终金属层、钝化层和凸块材料

完成凸块电镀(Bump Electroplating)后，必须将基板表面上之光阻去除(PR Stripping)，微电子构装所使用光阻层厚度，一般比前段IC制造之光阻层厚，电子构装使用之光阻厚度范围为：25~250μm。因为负光阻产生交连作用(Cross-linking)，光阻比较不易去除，常用的光阻剥离剂(PR Stripper)为NMP (N-methyl-pyrrolidinone)

因为负光阻产生交连作用(Cross-linking)，光阻比较不易去除，常用的光阻剥离剂(PR Stripper)为NMP (N-methyl-pyrrolidinone)，干膜光阻去除(PR stripping)制程一般使用Wet Bench批次设备

应用在于封装制程中助焊剂的清洗，提供凸块于Reflow制程，一个干净的表面。助焊剂的用途为促进锡铅之流动性，通常在助熔剂中会添加一些酸性成份以提高助熔剂之活性，如果在reflow制程后未作适当去除酸性成份，则会引起腐蚀和电迁移问题

Wafer Clean(Scrubber)机台是水清洗wafer表面，来去除wafer表面外来的微尘颗粒(particle)

de-bonding 是将晶片与玻璃载体暂时粘接，方便来下一个制程-背面薄化(thinning)处理

光罩清洗是用于半导体与光电等产业是必不可缺少的工作， 弘塑以高标准清洁和干燥技术来清洁光罩

Mask clean光罩清洗机目前主要产品应用于清洗9吋及14吋光罩，清洗方式为利用旋转光罩配合高压水、毛刷清洗或是化学品喷洒于光罩上去除沾黏的光阻

清洗利用湿式化学清洗(Wet Cleaning)技术，去除原材料硅片表面之微粒、有机物或无机物等

硅晶圆背面研磨所产生之缺陷，一般包括：研磨损伤层(damaged layer)、晶体缺陷(Crystal Defect)和微裂痕(Micro-crack)等，经由硅湿式蚀刻制程，可以大大消除应力及损伤层，进而增加晶圆与晶片之强度

第三第五族半导体(砷化鎵为其中一种)主要应用于光电与高频通讯元件，与一般使用硅(第四族)元件于制程上是相当不同的，弘塑专为为砷化鎵高频通讯元件提供了单片旋转式(single wafer spin)湿式蚀刻制程设备

使用标准微影技术及干式蚀刻来蚀刻部份的P-type GaN层，以露出N-type GaN层，进而定义发光区域及电极，湿式蚀刻图形化蓝宝石基板后，接着生长GaN磊晶层的LED结构

半导体晶圆制程中有五大污染物：微粒、金属不纯物、有机污染物、自然生成氧化层及晶圆表面的微粗糙等，常用化学品有 SC-1(APM)、SC-2(HPM)、SPM、HF及BHF等，SC-1及SC-2最早由RCA公司所发明用于清洗制程，所以SC-1及SC-2又称RCA-1及RCA-2

太阳电池制造的第一步就是晶片清洗(Wafer Cleaning)，在晶片清洗后，其表面要进行粗糙化(Texture)处理，由于平坦的硅晶表面会使部分太阳光反射而无法贡献于发电，为了减少反射光的损失，必须将硅晶片表面蚀刻出有粗糙化的结构，藉以降低反射光的比率