PR Stripper

弘塑PR stripper单晶圆设备主要用于8吋或12吋晶圆湿制程光阻去除，利用单晶圆旋转配合化学品的使用，例如封装IC制程solder bump、copper pillar bump等经过电镀制程后晶圆表面的光阻去除，或是3DIC的TSV制程需要将干蚀刻后产生的残余物去除。

图1、Solder bump制程光阻去除示意图

通常光阻去除与化学品的选用有很大的关系，一般常见用于去除非金属层光阻的化学品如硫酸加双氧水或丙酮等，金属层光阻会使用硷性溶液加双氧水、NMP、DMSO等去除，除了化学品的选用，设备能力也是重点，随着3DIC及WLCSP制程的演进，光阻的特性、厚度、线宽都会对制程能力增加挑战，例如光阻特性是需靠外力或是溶解的方式剥除会影响设备的配置以及产出速度，针对micro bump或copper pillar bump等光阻去除制程，因光阻厚度及bump的密集程度也会对清洗制程产生影响，造成光阻无法完全去净。

图2、实例光阻清洗干净前后的比对照

目前弘塑单晶圆PR stripper产品在各一线封装大厂皆有量产机台，其中化学品的使用因具备回收过滤系统，且回收率可高达95%以上，可减少化学品用量。设备本身具有极富弹性的制程调整能力及可进行客制化的应用，例如去除过程中化学品的喷洒配合转速的调整，水洗步骤快速且安全洗去化学品，旋干步骤配合氮气进行干燥晶圆表面，满足客户在不同产品制程的需求以达到光阻能快速且完全去净的目的。

图3、弘塑PR stripper机台，共有3个FOUP及四个清洗室进行作业。
图4、清洗室内部，进行制程时可回收化学品再利用

产品特点：

化学品使用减量
Throughput快速
满足客制化需求多样
制程调整能力

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