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Wafer Clean
Wafer Clean机台是水清洗wafer表面，来去除wafer表面外来的微尘颗粒(particle)， 为了调整压力配合不同客户针对制程上的需求，如清洗大颗粒而需调整压力加大或是针对micro bump的清洗需调整冲击力道。于硬体上，除了可直接设定调整压力外，在nozzle的选用也可依客户需求也有不同的选择：例如(1)HPC及 (2)soft spray，这两种选择可单选用或是全选，安装在同一机台上，nozzle的介绍如下：
1. HPC
HPC 清洗原理是以高压帮浦推动水柱于晶圆表面，去除晶圆表面的微尘颗粒(particle)，这对较大的particle有佳的移除效率，我们可依制程需要调整压力去适应不同的制程需求。
上图左为清洗示意图、上图右为Wafer Clean机台实际使用 HPC 清洗状况
2. Softspray
用氮气推动纯水去造成雾化水滴到喷洒晶圆上，此雾化小水滴的其可进入高深宽比的晶圆表面地形，大量的雾化小水滴可以有效的移除晶圆上小的微尘颗粒而且不会造成损坏，图中，于喷嘴(nozzle)两边液气供应管分别为氮气及纯水。
上图为 Soft spray 安装于机台内进行清洗
Wafer Clean 机台是针对1um以上的颗粒清洗皆有可达到客户需求，清洗的实例如下图，下图为高压水清洗前后的比照图，可确实将晶圆表面上的外来物清洗干净。
弘塑机台特点于弹性，可依不同客户需求，做出相对应的量产机台，我们的设计团队可在最小的空间设计出最适合的机型，主要应用机型如下：
- 2 chamber：在现场对宽度与高度都有限制的状况下是空间有受限的最好选择
- 4 chamber堆叠式：当现场空间不足但高度未限制下可适用
- 4 chamber matrix type：适用足够空间的设计，此为目前最受欢迎的机型，如下图
下图为2 FOUP 4CHAMBER机型的外观