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Laser de-bond cleaner
晶圓接合(Wafer Bonding)為3D IC整合的關鍵步驟之一，此製程是將晶圓進行對準(Alignment)及接合(Bonding)，以實現層對層之導線連接(Layer to Layer Interconnections)。許多晶圓接合方法，都是從MEMS技術所演化而來，然而3D IC晶圓接合平台的精密度比MEMS技術高出5~10倍，3D IC最終產品的對位精密度可達到微米(Micron)，甚至次微米(Sub-Micron)等級。晶圓接合操作步驟，包括：晶圓表面準備及清洗、晶圓對位、晶圓接合和接合後量測(Post Bond Metrology)等。
晶圓接合方法，包括：
晶圓接合方法，包括：
- 矽的直接或熔融接合(Silicon Direct or Fusion Bonding)
- 金屬-金屬接合(Metal-Metal Bonding)
- 聚合物黏着接合(Polymer Adhesive Bonding)等
為了3D IC製程設備又延伸開發Single wafer processor在後段封裝技術之應用，弘塑科技在2011年進行開發Laser de-bond cleaner，主要應用在3D IC製程技術中wafer debond後的殘膠去除。
圖1、Wafer bond/de-bond process flow
弘塑科技又整合Brush、二流體等應用，搭配Solvent chemical及IPA進行wafer de-bonding後的殘膠去除。在晶圓的傳送及夾持上，為了克服high warpage及正、反兩面的清洗，開發了晶圓翻轉模組與晶圓壓合模組，以達到晶圓洗淨的目的；另外，針對晶圓正反兩面凹凸不平的結構，也開發了全新的晶圓夾持機構(Chuck)。
圖2、弘塑科技提供之Laser de-bond cleaner設備示意圖