Under Bump Metallization (UBM) etching，UBM蝕刻是以凸塊或光阻當作蝕刻遮罩層(Etching mask)，然後將未被覆蓋之UBM金屬層作蝕刻去除，以隔離個別凸塊，它是覆晶技術中的一個關鍵製程

鈦(Ti)、鈦鎢(TiW)和鈦鎢氮(TiW(N）)等UBM金屬，具有雙重特性：可作為UBM之附著層(Adhesion Layer)及阻障層(Barrier Layer)。因這些UBM金屬直接接觸到晶片最終金屬層(Final metallization layer）和鈍化層（Passivation Layer），所以蝕刻液需有足夠的蝕刻速率，並且能避免攻擊到最終金屬層、鈍化層和凸塊材料

完成凸塊電鍍(Bump Electroplating)後，必須將基板表面上之光阻去除(PR Stripping)，微電子構裝所使用光阻層厚度，一般比前段IC製造之光阻層厚，電子構裝使用之光阻厚度範圍為：25~250μm。因為負光阻產生交連作用(Cross-linking)，光阻比較不易去除，常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)

因為負光阻產生交連作用(Cross-linking)，光阻比較不易去除，常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)，乾膜光阻去除(PR stripping)制程一般使用Wet Bench批次設備

應用在於封裝製程中助焊劑的清洗，提供凸塊於Reflow製程，一個乾淨的表面。助焊劑的用途為促進錫鉛之流動性，通常在助熔劑中會添加一些酸性成份以提高助熔劑之活性，如果在reflow製程後未作適當去除酸性成份，則會引起腐蝕和電遷移問題

Wafer Clean(Scrubber)機台是水清洗wafer表面，來去除wafer表面外來的微塵顆粒(particle)

de-bonding 是將晶片與玻璃載體暫時粘接，方便來下一個製程-背面薄化(thinning)處理

光罩清洗是用於半導體與光電等產業是必不可缺少的工作， 弘塑以高標準清潔和乾燥技術來清潔光罩

Mask clean光罩清洗機目前主要產品應用於清洗9吋及14吋光罩，清洗方式為利用旋轉光罩配合高壓水、毛刷清洗或是化學品噴灑於光罩上去除沾黏的光阻

清洗利用濕式化學清洗(Wet Cleaning)技術，去除原材料矽片表面之微粒、有機物或無機物等

矽晶圓背面研磨所產生之缺陷，一般包括：研磨損傷層(damaged layer)、晶體缺陷(Crystal Defect)和微裂痕(Micro-crack)等，經由矽濕式蝕刻製程，可以大大消除應力及損傷層，進而增加晶圓與晶片之強度

第三第五族半導體(砷化鎵為其中一種)主要應用於光電與高頻通訊元件，與一般使用矽(第四族)元件於製程上是相當不同的，弘塑專為為砷化鎵高頻通訊元件提供了單片旋轉式(single wafer spin)濕式蝕刻製程設備

使用標準微影技術及乾式蝕刻來蝕刻部份的P-type GaN層，以露出N-type GaN層，進而定義發光區域及電極，濕式蝕刻圖形化藍寶石基板後，接著生長GaN磊晶層的LED結構

半導體晶圓製程中有五大污染物：微粒、金屬不純物、有機污染物、自然生成氧化層及晶圓表面的微粗糙等，常用化學品有 SC-1(APM)、SC-2(HPM)、SPM、HF及BHF等，SC-1及SC-2最早由RCA公司所發明用於清洗製程，所以SC-1及SC-2又稱RCA-1及RCA-2

太陽電池製造的第一步就是晶片清洗(Wafer Cleaning)，在晶片清洗後，其表面要進行粗糙化(Texture)處理，由於平坦的矽晶表面會使部分太陽光反射而無法貢獻於發電，為了減少反射光的損失，必須將矽晶片表面蝕刻出有粗糙化的結構，藉以降低反射光的比率