PR Stripper

弘塑PR stripper單晶圓設備主要用於8吋或12吋晶圓濕製程光阻去除，利用單晶圓旋轉配合化學品的使用，例如封裝IC製程solder bump、copper pillar bump等經過電鍍製程後晶圓表面的光阻去除，或是3DIC的TSV製程需要將乾蝕刻後產生的殘餘物去除。

圖1、Solder bump製程光阻去除示意圖

通常光阻去除與化學品的選用有很大的關係，一般常見用於去除非金屬層光阻的化學品如硫酸加雙氧水或丙酮等，金屬層光阻會使用鹼性溶液加雙氧水、NMP、DMSO等去除，除了化學品的選用，設備能力也是重點，隨著3DIC及WLCSP製程的演進，光阻的特性、厚度、線寬都會對製程能力增加挑戰，例如光阻特性是需靠外力或是溶解的方式剝除會影響設備的配置以及產出速度，針對micro bump或copper pillar bump等光阻去除製程，因光阻厚度及bump的密集程度也會對清洗製程產生影響，造成光阻無法完全去淨。

圖2、實例光阻清洗乾淨前後的比對照

目前弘塑單晶圓PR stripper產品在各一線封裝大廠皆有量產機台，其中化學品的使用因具備回收過濾系統，且回收率可高達95%以上，可減少化學品用量。設備本身具有極富彈性的製程調整能力及可進行客制化的應用，例如去除過程中化學品的噴灑配合轉速的調整，水洗步驟快速且安全洗去化學品，旋乾步驟配合氮氣進行乾燥晶圓表面，滿足客戶在不同產品製程的需求以達到光阻能快速且完全去淨的目的。

圖3、弘塑PR stripper機台，共有3個FOUP及四個清洗室進行作業。
圖4、清洗室內部，進行製程時可回收化學品再利用

產品特點：

化學品使用減量
Throughput快速
滿足客制化需求多樣
製程調整能力

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