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Wafer Clean
Wafer Clean機台是水清洗wafer表面，來去除wafer表面外來的微塵顆粒(particle)， 為了調整壓力配合不同客戶針對製程上的需求，如清洗大顆粒而需調整壓力加大或是針對micro bump的清洗需調整衝擊力道。於硬體上，除了可直接設定調整壓力外，在nozzle的選用也可依客戶需求也有不同的選擇：例如(1)HPC及 (2)soft spray，這兩種選擇可單選用或是全選，安裝在同一機台上，nozzle的介紹如下：
1. HPC
HPC 清洗原理是以高壓幫浦推動水柱於晶圓表面，去除晶圓表面的微塵顆粒(particle)，這對較大的particle有佳的移除效率，我們可依製程需要調整壓力去適應不同的製程需求。
上圖左為清洗示意圖、上圖右為Wafer Clean機台實際使用 HPC 清洗狀況
2. Softspray
用氮氣推動純水去造成霧化水滴到噴灑晶圓上，此霧化小水滴的其可進入高深寬比的晶圓表面地形，大量的霧化小水滴可以有效的移除晶圓上小的微塵顆粒而且不會造成損壞，圖中，於噴嘴(nozzle)兩邊液氣供應管分別為氮氣及純水。
上圖為 Soft spray 安裝於機台內進行清洗
Wafer Clean 機台是針對1um以上的顆粒清洗皆有可達到客戶需求，清洗的實例如下圖，下圖為高壓水清洗前後的比照圖，可確實將晶圓表面上的外來物清洗乾淨。
弘塑機台特點於彈性，可依不同客戶需求，做出相對應的量產機台，我們的設計團隊可在最小的空間設計出最適合的機型，主要應用機型如下：
- 2 chamber：在現場對寬度與高度都有限制的狀況下是空間有受限的最好選擇
- 4 chamber堆疊式：當現場空間不足但高度未限制下可適用
- 4 chamber matrix type：適用足夠空間的設計，此為目前最受歡迎的機型，如下圖
下圖為2 FOUP 4CHAMBER機型的外觀